Рейтинг пользователей: / 0
ХудшийЛучший 

Среди флуктуационного потока диффузии дейтронов, движущихся сквозь кристалл, в соответствии с максвелловским распределением имеются частицы разной энергии, в том числе и частицы с энергией Я 7, способные к реакции синтеза с туннельным преодолением барьера. Выражение для скорости реакции синтеза %f —alb, где с=10_25 см2, при реальном значении тока /10!4 см-2-с-1 и относительном числе дейтронов, имеющих энергию больше пороговой б10-9, которая может быть получена из рассмотрения максвелловского спектра при ГЗОО К, имеем %f = Ю-20, что соответствует экспериментальным значениям, полученным Джоунсом. Отметим также, что типичной концентрацией дейтерия в р-фазе палладия п2-1022 см-3 и объеме насыщенного им слоя Q0,1—1 см3 общее число актов реакции в 1 с составит А/ Ш = 2—20 с-1. С увеличением диффузионного тока и температуры должно иметь место возрастание как б, так и, что ведет к очень резкому увеличению скорости реакции. Таким образом, при явлении холодного ядерного синтеза срабатывают три фактора, которые, так или иначе, проявляются в экспериментальных условиях: а) наличие максимальной плотности активных ядер, которое достигается в ходе или электролиза, или предварительного газового заполнения мишени под давлением, или при имплантации ; б) наличие тока дейтронов или других ядер, способных осуществить холодный синтез при определенной скорости потока через кристаллический образец ; а) существование значительного снижения барьера реакции синтеза в кристаллах. Можно заключить, что явление холодного синтеза становится возможным в нестационарных условиях: образование а - и р - фаз палладия при достижении: максимальной плотности в р-фазе, причем обязательным является наличие потока дейтронов через электрод или мембрану.